Vsebina
Beseda "tranzistor" je kombinacija besed "prenos" in "varistor." Izraz opisuje, kako so te naprave delovale v svojih zgodnjih dneh. Tranzistorji so glavni gradniki elektronike, pravzaprav je DNK gradnik človeškega genoma. Razvrščamo jih med polprevodnike in so na voljo v dveh splošnih vrstah: bipolarni stični tranzistor (BJT) in tranzistor s poljskim učinkom (FET). V središču te razprave je prvi.
Vrste bipolarnih priključnih tranzistorjev
Obstajata dve temeljni vrsti dogovorov o BJT: NPN in PNP. Te oznake se nanašajo na polprevodniške materiale tipa P (pozitivni) in N (negativni), iz katerih so sestavljene komponente. Vsi BJT-ji torej vključujejo dva PN stičišča, v določenem vrstnem redu. Kot pove že ime naprave NPN, ima eno območje P med dvema regijama N. Dva stičišča v diodah sta lahko premikana naprej ali nazaj.
Ta razporeditev ima skupno tri priključne sponke, od katerih je vsakemu dodeljeno ime, ki določa njegovo funkcijo. Temu se rečejo emiter (E), osnova (B) in kolektor (C). Z NPN tranzistorjem je kolektor povezan z enim od N delov, podnožje na P del v sredini in E na drugi N odsek. P segment je rahlo dopiran, medtem ko je N segment na koncu oddajalnika močno dopiran. Pomembno je, da dveh N odsekov v NPN tranzistorju ni mogoče zamenjati, saj sta njuni geometriji popolnoma različni. Morda bo pomagalo, da bi napravo NPN obravnavali kot sendvič z arašidovim maslom, toda ena od rezin kruha je končni kos, druga pa iz hlebca, zaradi česar je razporeditev nekoliko nesimetrična.
Skupne značilnosti emisij
NPN tranzistor ima lahko skupno bazo (CB) ali skupno konfiguracijo emiterjev (CE), vsak s svojimi različnimi vhodi in izhodi. V skupni nastavitvi emisij se na P del odnesejo ločene vhodne napetosti od baze (VBE) in zbiralnik (VCE). Napetost VE nato zapusti emiter in vstopi v vezje, katerega sestavni del je tranzistor NPN. Ime "skupni izdajnik" je zakoreninjeno v tem, da del E tranzistorja vključuje ločene napetosti od dela B, del C pa jih oddaja kot eno skupno napetost.
Algebraično so vrednosti toka in napetosti v tej nastavitvi povezane na naslednji način:
Vnos: IB = Jaz0 (eVBT/ VT - 1)
Izhod: Ic = βIB
Kjer je β konstanta, povezana z lastnostmi lastnih tranzistorjev.